Контакты +7 903 509 63 53

Search

LQW2BHN8N2D03L, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T

Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

Маркировка

8.2nH 630mA

Корпус

0805

Нормоупаковка

1 шт

Вес брутто

0.05 г

Индуктивность

8.2nH

Допуск

±0.5nH

Максимальный ток

630mA

Резонансная частота

100MHz

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart