MLF2012DR12KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Shielded Multi-Layer 0.12uH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 0.3A 0.2Ohm DCR 0805 T/R

ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке

Катушки постоянной индуктивности .12 UH 10%

Серия	mlf2012
Номинальная индуктивность, мкГн	0.12
Допуск номинальной индуктивности,%	10
Типоразмер	0805
Активное сопротивление,Ом	0.2
Добротность,Q	20
Рабочая температура,С	-55…125
Способ монтажа	smd
Длина корпуса,мм	2
Диаметр (ширина)корпуса,мм	1.2
Максимальный постоянный ток,мА	300
Вес, г	0.01

Search

MLF2012DR12KT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке