Контакты +7 903 509 63 53

Search

MLZ2012DR10DT, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100нГн ±20% 25МГц феррит 1.15A 91мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor Power Shielded Multi-Layer 100nH 20% 25MHz Ferrite 1.15A 91mOhm DCR 0805 T/R

ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100нГн ±20% 25МГц феррит 1.15A 91мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Описание MLZ2012DR10DT

Серия MLZ экранированные многослойные smd- индуктивности предназначены для цепей развязки, требующих отличных DC параметров. Индуктивности MLZ-H имеют номинальный ток, сопоставимый с током проволочных индуктивностей. MLZ-W отличаются повышенным рабочим током при низком сопротивлении постоянному току. MLZ-L индуктивности имеют на 60% выше номинальный диапазон индуктивности по сравнению с MLZ-W типом.

Особенности данной серии:
– Наименьшая зависимость индуктивности от постоянного тока
– Наименьшее омическое сопротивление
– Высокая эффективность развязки в цепях питания
– Подходят для трактов звуковой частоты благодаря малому омическому сопротивлению
– Диапазон рабочих температур: -55…+125°С
– ЧИП индуктивности пригодны для высокоплотного монтажа и не содержат свинца

Серия mlz2012
Номинальная индуктивность, мкГн 1
Допуск номинальной индуктивности,% 20
Типоразмер 0805
Активное сопротивление,Ом 0.07
Рабочая температура,С -55…125
Способ монтажа smd
Длина корпуса,мм 2
Диаметр (ширина)корпуса,мм 1.25
Максимальный постоянный ток,мА 1000
Вес, г 0.01
Нормоупаковка

1 шт

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart