| Корпус | 0402 |
|---|---|
| Нормоупаковка | 10000 шт |
| Индуктивность | 3nH |
| Допуск | ±0.1nH |
| Максимальный ток | 1.35A |
| Резонансная частота | 100MHz |
Sold out
LQW15AN3N0B80D, Проволочная SMD индуктивность 3нГн ±0,1нГн 1,35A 63мОм по постоянному току
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 1.35A 63mOhm DCR 0402 T/R
Проволочная SMD индуктивность 3нГн ±0,1нГн 1,35A 63мОм по постоянному току