MLG1005S3N9BT, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.7A 0.2

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 0.0039uH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.7A 0.2

ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.7A 0.2