MLG1005S4N7ST, ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-фактор керамика 700мА 250мОм

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 250mO

ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-фактор керамика 700мА 250мОм