MLG1005S51NJTD25, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 51nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.2Ohm DC

ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 51нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 250мА 1.2Ом