MLK1005S2N2ST, ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.18Ом

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0022uH 0.3nH 100MHz 6Q-Factor Ceramic 0.5A 0.18Ohm DCR

ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.3нГн 100МГц 6Q-Фактор керамика 0.5A 0.18Ом