Описание IR2010PBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 6 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 3 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 3 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 200 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 10 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | dip-14 (0.300 inch) |
| Вес, г | 1.9 |