Описание MC33152DR2G
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 2, Максимальный выходной ток нарастания 1.5 А, Максимальный выходной ток спада 1.5 А
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 6.1…18 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.6 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1.5 |
| Тип входа | неинвертирующий |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 36 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 32 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Вес, г | 0.15 |