Showing 2449–2472 of 6174 results
CSAB0750-6R8M, SMD индуктивность 6.8uH ±20% 7.5A 28мОм, экранированная
SMD индуктивность 6.8uH ±20% 7.5A 28мОм, экранированная
CV201210-100K, Многослойная чип индуктивность 10мкГн 10% 2МГц 45Q-Factor Ferrite 15мА 1.15Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 10uH 10% 2MHz 45Q-Factor Ferrite 15mA 1.15Ohm DCR 0805 T/R Многослойная чип индуктивность 10мкГн 10% 2МГц 45Q-Factor Ferrite 15мА 1.15Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
CV201210-220K, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 5mA 1.1Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
CV201210-220K, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 5mA 1.1Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
CV201210-220K, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 22uH 10% 1MHz 30Q-Factor Ferrite 5mA 1.1Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 5мА 1.1Ом 0805 лента на катушке
CVH252009-2R2M, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 0.08Ohm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
CVH252009-2R2M, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 0.08Ohm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
CVH252009-2R2M, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 0.08Ohm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 1.3А 0,08Ом по постоянному току 2.5*2*0.9мм
CVH252009-4R7M, Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 0.11Ohm DCR 1008 T/R Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
CVH252009-4R7M, Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 0.11Ohm DCR 1008 T/R Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
CVH252009-4R7M, Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 0.11Ohm DCR 1008 T/R Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 4.7мкГн ±20% 1МГц феррит 1.1A 0.11Ом по постоянному току 1008 лента на катушке
CW160808-12NJ, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная 0.012мкГн ±5% 250МГц 30Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 0.7A 0.13Ом 0603 лента на катушке
Inductor RF Wirewound 0.012uH 5% 250MHz 30Q-Factor Alumina 0.7A 0.13Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная 0.012мкГн ±5% 250МГц 30Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 0.7A 0.13Ом 0603 лента на катушке
CW160808-22NJ, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная 0.022мкГн ±5% 250МГц 35Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 0.7A 0.19Ом 0603 лента на катушке
Inductor RF Wirewound 0.022uH 5% 250MHz 35Q-Factor Alumina 0.7A 0.19Ohm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная 0.022мкГн ±5% 250МГц 35Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 0.7A 0.19Ом 0603 лента на катушке
CW160808-27NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 27нГн ±5% 250МГц 35Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 600мА 220мОм 0603 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 27nH 5% 250MHz 35Q-Factor Alumina 600mA 220mOhm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 27нГн ±5% 250МГц 35Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 600мА 220мОм 0603 лента на катушке
CW160808-R12J, ЧИП-индуктивность проволочная 120нГн ±5% 150МГц 32Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 300мА 790мОм 0603 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 120nH 5% 150MHz 32Q-Factor Alumina 300mA 790mOhm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 120нГн ±5% 150МГц 32Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 300мА 790мОм 0603 лента на катушке
CW160808-R12J, ЧИП-индуктивность проволочная 120нГн ±5% 150МГц 32Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 300мА 790мОм 0603 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 120nH 5% 150MHz 32Q-Factor Alumina 300mA 790mOhm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 120нГн ±5% 150МГц 32Q-Фактор керамика с алюминиевым покрытием 300мА 790мОм 0603 лента на катушке
CW201212-10NJ, Индуктивность SMD проволочная 10нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 10nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 600mA 80mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD проволочная 10нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
CW201212-15NJ, Проволочная чип индуктивность 15нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 15nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 600mA 80mOhm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 15нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
CW201212-15NJ, Проволочная чип индуктивность 15нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 15nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 600mA 80mOhm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 15нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
CW201212-27NJ, Проволочная чип индуктивность 27нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 120мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 27nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 27нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 120мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
CW201212-33NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 33nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 150mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке
CW201212-33NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке
Inductor Chip Wirewound 33nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 150mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке