Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 2473–2496 of 6174 results

Сортировать

CW201212-33NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 33nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 150mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 33нГн ±5% 250МГц 60Q-Фактор керамика 500мА 150мОм 0805 лента на катушке

CW201212-47NJ, Проволочная чип индуктивность 47нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 47nH 5% 200MHz 60Q-Factor Ferrite 500mA 150mOhm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 47нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

CW201212-47NJ, Проволочная чип индуктивность 47нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 47nH 5% 200MHz 60Q-Factor Ferrite 500mA 150mOhm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 47нГн 5% 250МГц 60Q-Factor Ceramic 600мА 80мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

CW201212-R22J, Проволочная чип индуктивность 0805 220nH ±5%, 300mA

Inductor Chip Wirewound 220nH 5% 100MHz 50Q-Factor Ferrite 300mA 1.1Ohm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 0805 220nH ±5%, 300mA

CW201212-R33J, Проволочная чип индуктивность 0.33uH 5% 100MHz 45Q-Factor Ferrite 0.3A 1.65Ohm

Inductor Chip Wirewound 330nH 5% 100MHz 45Q-Factor Ferrite 200mA 1.65Ohm DCR 0805 T/R Проволочная чип индуктивность 0.33uH 5% 100MHz 45Q-Factor Ferrite 0.3A 1.65Ohm

CW201212-R39J, ЧИП-индуктивность проволочная 390нГн ±5% 100МГц 45Q-Фактор феррит 170мА 2.2Ом 0805 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 390nH 5% 100MHz 45Q-Factor Ferrite 170mA 2.2Ohm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 390нГн ±5% 100МГц 45Q-Фактор феррит 170мА 2.2Ом 0805 лента на катушке

CW252016-1R0J, Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

Inductor Chip Wirewound 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

CW252016-1R0J, Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

Inductor Chip Wirewound 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

CW252016-1R0J, Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

Inductor Chip Wirewound 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 370mA 1.75Ohm DCR 1008 T/R Проволочная чип индуктивность 1uH 5% 25.2MHz 35Q-Factor Ferrite 0.37A 1.75Ohm

CW252016-68NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 68нГн ±5% 50МГц 65Q-Фактор керамика 1A 200мОм 1008 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 68nH 5% 50MHz 65Q-Factor Ceramic 1A 200mOhm DCR 1008 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 68нГн ±5% 50МГц 65Q-Фактор керамика 1A 200мОм 1008 лента на катушке

CW252016-82NJ, ЧИП-индуктивность проволочная 82нГн ±5% 50МГц 60Q-Фактор керамика 1A 220мОм 1008 лента на катушке

Inductor Chip Wirewound 82nH 5% 50MHz 60Q-Factor Ceramic 1A 220mOhm DCR 1008 T/R ЧИП-индуктивность проволочная 82нГн ±5% 50МГц 60Q-Фактор керамика 1A 220мОм 1008 лента на катушке

DFE252012F-100M=P2, Катушка постоянной индуктивности 10мкГн 480mOhms 1.4A 2.5x2.0mm ±20%

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Metal 900mA 480mOhm DCR 1008 T/R Катушка постоянной индуктивности 10мкГн 480mOhms 1.4A 2.5x2.0mm ±20%

DFE252012P-R47M=P2, Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 470нГн ±20% 1МГц 4A 27мОм по постоянному току 1008 лента на катушке

Inductor Power Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Metal 4A 27mOhm DCR 1008 T/R Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 470нГн ±20% 1МГц 4A 27мОм по постоянному току 1008 лента на катушке

DFE252012P-R47M=P2, Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 470нГн ±20% 1МГц 4A 27мОм по постоянному току 1008 лента на катушке

Inductor Power Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Metal 4A 27mOhm DCR 1008 T/R Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 470нГн ±20% 1МГц 4A 27мОм по постоянному току 1008 лента на катушке

DFE252012PD-R47M=P2, Индуктивность и дроссель SMD-исполнения

INDUCTOR, WIREWOUND, 470NH, 4A, AEC-Q200; Inductance:470nH; RMS Current (Irms):4A; Inductor Construction:Wirewound; Saturation Current (Isat):5.2A; Product Range:DFE252012P_D Series; Power Inductor Case:2.5mm x 2mm x 1.2mm; DC Resistance Max:0.027ohm; Ind

DLW5BSM801TQ2L, Дроссель синфазный 100 МГц 2А 800 Ом SMD

Common Mode Chokes Dual 800Ohm 100MHz 2A 56mOhm DCR SMD Automotive T/R Дроссель синфазный 100 МГц 2А 800 Ом SMD

DO3316T-682MLD, ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная 6.8мкГн ±20% 4.4A 24мОм

Power Inductors - SMD 6.8uH Unshld 20% 4.4A 24mOhms ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная 6.8мкГн ±20% 4.4A 24мОм

DR125-330-R, SMD индуктивность на ферритовом сердечнике, 33мкГн ±20% 3.28A 50.5мОм

INDUCTOR, 33UH, 3.28A, SMD; Inductance:33µH; RMS Current (Irms):3.28A; Inductor Construction:Shielded; Saturation Current (Isat):3.84A; Product Range:DR Series; Power Inductor Case:12.5mm x 12.5mm x 6mm; DC Resistance Max:-; Inductance Tolerance:± 20%; SV SMD индуктивность на ферритовом сердечнике, 33мкГн ±20% 3.28A 50.5мОм

DR127-680-R, Дроссель SMD, экранированный, 68 мкГн ±20%, 2.44 А, 105 мОм, 12.5 x 12.5 x 8мм

DR Series 68 uH В±20 % Tolerance 2.44 A Shielded SMT High Power Inductor Дроссель SMD, экранированный, 68 мкГн ±20%, 2.44 А, 105 мОм, 12.5 x 12.5 x 8мм

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart