Дроссели SMD-исполнения(6174)

ЧИП-индуктивность экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.4A, DCR 152мОм 17Q

ЧИП-индуктивность экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.4A, DCR 152мОм 17Q

ЧИП-индуктивность экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.9A, DCR 136.5мОм

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 290mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 290мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 290mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 290мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 410mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 410мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 450mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 450мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 510mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 510мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 510mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 510мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 1.0nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.0нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке