Showing 3025–3048 of 6174 results
LQG15HN1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 80mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 80mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 80mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N6S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0016uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 0.08Ohm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N6S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0016uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 0.08Ohm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N8C02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.8nH 0.2nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 80mOhm DCR 0402 T Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N8S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 1.8nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N8S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 1.8nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN1N8S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 1.8nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 580mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 580mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 580mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Air 0.3A 0.67Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Air 0.3A 0.67Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.027uH 5% 100MHz 8Q-Factor Air 0.3A 0.67Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 120mOhm DCR 0402 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 120mOhm DCR 0402 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 120mOhm DCR 0402 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N4S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 0.1Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.4nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 100mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 0.1Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N7S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 2.7nH ± 0.3nH Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN2N7S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 2.7nH ± 0.3nH Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке