Showing 3049–3072 of 6174 results
LQG15HN2N7S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 2.7nH ± 0.3nH Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN33NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 670mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN33NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 670mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN33NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 670mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN39NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.06Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 39nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.06Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.06Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN39NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.06Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 39nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 1.06Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.06Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN3N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.0nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 110mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.0nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 110mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.0nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 110mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 120mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 120mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH±0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 120mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N6S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 130mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
LQG15HN3N6S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 130mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
LQG15HN3N6S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 130mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402
LQG15HN3N9S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.9nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 190mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N9S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.9nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 190mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
LQG15HN3N9S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.9nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 190mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм по постоянному току 0402
LQG15HN47NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 47nH ± 5% Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN47NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 47nH ± 5% Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN47NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
0402 47nH ± 5% Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HN4N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 150mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402
LQG15HN4N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 150mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402
LQG15HN4N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 150mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм по постоянному току 0402