Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 160mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 700mA 160mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 56nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.2Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 56нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.2Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 5.1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 160mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.1нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 160мОм по постоянному току 0402

CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 5.6nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм по постоянному току 0402

CHIP INDUCTOR MONOLITHIC 0402 5.6nH +/- 0.3nH 300mA Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм по постоянному току 0402

68 nH ?5 % Tol. 180 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Чип индуктивность многослойная неэкранированная 68нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 290mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 210мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 7.5nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 500mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7.5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 330mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 330mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

0402 100nH ± 5% Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке