Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 3097–3120 of 6174 results

Сортировать

LQG15HNR12J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 1.6Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HNR12J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 1.6Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS10NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,010uH 300mA 5% MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS10NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,010uH 300mA 5% MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS10NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,010uH 300mA 5% MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS12NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 280mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS12NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 280mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS12NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 280mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS15NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 450mA 320mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS15NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 450mA 320mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS15NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 450mA 320mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 320мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS18NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 360mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS18NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 360mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS18NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 400mA 360mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N1S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.1nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0012uH 0,3nH 0,3A MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0012uH 0,3nH 0,3A MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0012uH 0,3nH 0,3A MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 1A 70mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

INDUCTOR, MULTILAYER, 1.5NH, 1A, 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

INDUCTOR, MULTILAYER, 1.5NH, 1A, 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart