Showing 3121–3144 of 6174 results
LQG15HS1N5S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
INDUCTOR, MULTILAYER, 1.5NH, 1A, 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS1N8S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 0.95A 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 950mA 80mOhm DCR 0402 T Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 0.95A 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 420mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 420mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS22NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 420mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 460mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 460mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS27NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 460mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 900mA 90mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG Series 0402 2.2 nH ?0.3nH Tol. 300mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N4S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 850мА 0.11Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.4nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 850mA 110mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 850мА 0.11Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N7S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.12Ohm DCR 040 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS2N7S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0027uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.12Ohm DCR 040 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS33NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 350mA 580mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS39NJ02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 650мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 39nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 650mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 650мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N0B02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N0B02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N0S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N0S02J, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS3N3S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке