Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 750mA 140mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3,6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG Series 0402 3.9 nH ?0.2 nH Tolerance 0.14 Ohm SMT Chip Coil Inductor Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0039uH 0,3A 0,3nH MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 47nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 720mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 720мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0047uH 0,3A 0,2nH MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 4.7nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 180mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 56nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 820mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 56нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 820мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 56nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 820mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 56нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 820мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

LQG15HS 0,0051uH 0,3A 0,2R MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductance Test Frequency 100 Mhz Weight 0.001 Grams Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 5.6nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 200mOhm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 68nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 250mA 920mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 68нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 920мОм по постоянному току 0402 лента на катушке