Showing 3169–3192 of 6174 results
LQG15HS6N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Chip Ind SMD 0402 6.2nH ± 0.3nH Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS6N2S02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Chip Ind SMD 0402 6.2nH ± 0.3nH Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS6N8J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS6N8J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS6N8J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS7N5H02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 3% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0075uH 3% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.55A 0.24Ohm DCR 0402 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 3% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS7N5J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG Series 0402 7.5 nH ?0.3nH Tolerance 300mA High Frequency Multilayer Inductor Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS7N5J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG Series 0402 7.5 nH ?0.3nH Tolerance 300mA High Frequency Multilayer Inductor Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7,5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS8N2J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS8N2J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS8N2J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 300mA 240mOhm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HS9N1J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 9.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0091uH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.5A 0.26Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 9.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 260мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR10J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 1.25Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR10J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 1.25Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR10J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 1.25Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR12J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.3Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR12J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.3Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR12J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 120nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 200mA 1.3Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR15J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 150нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 2.99Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 150nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 2.99Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 150нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 2.99Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR18J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 180nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 3.38Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR18J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 180nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 150mA 3.38Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR22J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 220нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 120мА 3.77Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 220nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 120mA 3.77Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 220нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 120мА 3.77Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR27J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 270нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 110мА 4.94Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 270nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 110mA 4.94Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 270нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 110мА 4.94Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
LQG15HSR27J02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 270нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 110мА 4.94Ом по постоянному току 0402 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 270nH 5% 100MHz 8Q-Factor Ceramic 110mA 4.94Ohm DCR 0402 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 270нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 110мА 4.94Ом по постоянному току 0402 лента на катушке