Showing 3193–3216 of 6174 results
LQG18HH3N9S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Multi-Layer 3.9nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Air 900mA 150mOhm DCR 0603 Automotive T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HHR27J00D, Многослойная керамическая индуктивность высокочастотная SMD 0603 270нГн 200 мА
Многослойная керамическая индуктивность высокочастотная SMD 0603 270нГн 200 мА
LQG18HN10NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 650mA 300mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN10NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 650mA 300mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN10NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 10nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 650mA 300mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN12NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN12NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN12NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 12nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN15NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN15NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 15nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 350mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN18NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 370mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN18NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 370mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN18NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 18nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 600mA 370mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.2nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.2nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.2nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N5S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N5S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N5S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.5nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N8S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,8нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,8нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN1N8S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,8нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 1.8nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1.1A 100mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,8нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN22NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 300mA 500mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN22NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 300mA 500mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN22NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 300mA 500mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке