Showing 3217–3240 of 6174 results
LQG18HN22NJ00J, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 22nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 500mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN27NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN27NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN27NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 27nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
2020 22 H 20% - Wire Wound Type for Power Line Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
2020 22 H 20% - Wire Wound Type for Power Line Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N2S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
2020 22 H 20% - Wire Wound Type for Power Line Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N7S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.7nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N7S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.7nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN2N7S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 2.7nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN33NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN33NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN33NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN33NJ00J, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 33nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 500mA 540mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N3S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N3S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N3S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N3S00J, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3.3nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 1A 120mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N9S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN 3,9nH 450mA 0,3nH MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N9S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN 3,9nH 450mA 0,3nH MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN3N9S00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN 3,9nH 450mA 0,3nH MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN47NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 47nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 400mA 700mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN47NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 47nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 400mA 700mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
LQG18HN47NJ00D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 47nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 400mA 700mOhm DCR 0603 T/R Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм по постоянному току 0603 лента на катушке