Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 0.0047uH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 0.9A 0.15Ohm DCR Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 5.6nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 5.6nH 0.3nH 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm DCR 0603 Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 6.8nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

LQG18HN 0,082uH 300mA 5% MLT Чип индуктивность многослойная неэкранированная 82нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 850мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 8.2nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 800mA 200mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 12Q-Factor Ceramic 350mA 900mOhm DCR 0603 T/ Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q

Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом

Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом

Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом