Showing 3409–3432 of 6174 results
LQH32MN151J23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±5% 70мА, 9,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 150uH 5% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 0.07A 9.3Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±5% 70мА, 9,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN151K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±10% 70мА, 9,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 150uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 70mA 9.3Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±10% 70мА, 9,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN181K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 180uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 10.2Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN181K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 180uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 10.2Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN181K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 180uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 10.2Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 180мкГн ±5% 65мА, 10,2Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R0M23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 1uH 20% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 445mA 500mOhm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R0M23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 1uH 20% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 445mA 500mOhm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R0M23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 1uH 20% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 445mA 500mOhm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R5K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1,5мкГн ±10% 400мА, 0,6Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Ind General Purpose Chip Unshielded Wirewound 1.5uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 400mA 1210 Embossed Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1,5мкГн ±10% 400мА, 0,6Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN1R5K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1,5мкГн ±10% 400мА, 0,6Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Ind General Purpose Chip Unshielded Wirewound 1.5uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 400mA 1210 Embossed Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1,5мкГн ±10% 400мА, 0,6Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220J23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 5% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220J23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 5% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220J23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 5% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN220K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 22uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 2.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN221K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 220uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 11.8Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN221K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 220uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 11.8Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN221K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 220uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 65mA 11.8Ohm DC Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN270K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 27мкГн ±10% 125мА, 3,1Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 27uH 10% 1MHz 35Q-Factor Ferrite 0.125A 3.1Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 27мкГн ±10% 125мА, 3,1Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN271K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 270мкГн ±10% 65мА, 12,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 270uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 0.065A 12.5Ohm Чип индуктивность проволочная неэкранированная 270мкГн ±10% 65мА, 12,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN271K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 270мкГн ±10% 65мА, 12,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 270uH 10% 1MHz 40Q-Factor Ferrite 0.065A 12.5Ohm Чип индуктивность проволочная неэкранированная 270мкГн ±10% 65мА, 12,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN2R2K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±10% 370мА, 0,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 0.37A 0.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±10% 370мА, 0,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32MN2R2K23L, Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±10% 370мА, 0,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor General Purpose Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 10% 1MHz 20Q-Factor Ferrite 0.37A 0.8Ohm DCR Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±10% 370мА, 0,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке