Showing 3481–3504 of 6174 results
LQH32PN220MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 22uH 20% 1MHz Ferrite 450mA 972mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN220MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 22uH 20% 1MHz Ferrite 450mA 972mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN220MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 22uH 20% 1MHz Ferrite 450mA 972mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN2R2NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 91.2mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN2R2NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 91.2mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN2R2NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 91.2mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN3R3NN0K, Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 144mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN3R3NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 0.144Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN3R3NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 0.144Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN3R3NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 0.144Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN470MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 47uH 20% 1MHz Ferrite 310mA 2.14Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN470MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 47uH 20% 1MHz Ferrite 310mA 2.14Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN470MN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 47uH 20% 1MHz Ferrite 310mA 2.14Ohm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN4R7NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1000мА, 0,18Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN 4,7uH 1000mA 30% WWT Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1000мА, 0,18Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN4R7NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1000мА, 0,18Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN 4,7uH 1000mA 30% WWT Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1000мА, 0,18Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN6R8NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 6,8мкГн ±30% 850мА, 0,24Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 30% 1MHz Ferrite 850mA 288mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 6,8мкГн ±30% 850мА, 0,24Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PN6R8NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 6,8мкГн ±30% 850мА, 0,24Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 30% 1MHz Ferrite 850mA 288mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 6,8мкГн ±30% 850мА, 0,24Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PNR47NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 0,47мкГн ±30% 2550мА, 0,03Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 470nH 30% 1MHz Ferrite 2.55A 36mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 0,47мкГн ±30% 2550мА, 0,03Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PNR47NN0L, Чип индуктивность проволочная экранированная 0,47мкГн ±30% 2550мА, 0,03Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 470nH 30% 1MHz Ferrite 2.55A 36mOhm DCR 1210 T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 0,47мкГн ±30% 2550мА, 0,03Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PZ2R2NNCL, Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 2000мА, 0,064Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.85A 76.8mOhm DCR 1210 Automotive T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 2000мА, 0,064Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH32PZ4R7NNCL, Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1600мА, 0,155Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 30% 1MHz 1.2A 186mOhm DCR 1210 Automotive T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±30% 1600мА, 0,155Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке
LQH3NPN100MMEL, Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 1.28A 228mOhm DCR 1212 Automotive T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
LQH3NPN100MMEL, Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 1.28A 228mOhm DCR 1212 Automotive T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
LQH3NPN100MMEL, Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Ferrite 1.28A 228mOhm DCR 1212 Automotive T/R Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке