Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 3769–3792 of 6174 results

Сортировать

LQM18PN1R0MFRL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 950мА 0,2Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 950mA 250mOhm DCR 0603 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 950мА 0,2Ом по постоянному току

LQM18PN1R0MFRL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 950мА 0,2Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 950mA 250mOhm DCR 0603 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 950мА 0,2Ом по постоянному току

LQM18PN2R2MFRL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 750mA 375mOhm DCR 0603 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоянному току

LQM18PN2R2MFRL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 750mA 375mOhm DCR 0603 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21DN100N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

10 uH В±30 % Tol. 15 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

LQM21DN100N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

10 uH В±30 % Tol. 15 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

LQM21DN100N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

10 uH В±30 % Tol. 15 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 15мА 0,5Ом по постоянному току

LQM21DN220N00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 22мкГн ±30% 13мА 0,65Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 22uH 30% 1MHz Ferrite 13mA 650mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 22мкГн ±30% 13мА 0,65Ом по постоянному току

LQM21DN2R2N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN 2,2uH 40mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN2R2N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN 2,2uH 40mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN2R2N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN 2,2uH 40mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 40мА 0,17Ом по постоянному току

LQM21DN470N00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 47мкГн ±30% 7мА 1,2Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 47uH 30% 1MHz Ferrite 0.007A 1.2Ohm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 47мкГн ±30% 7мА 1,2Ом по постоянному току

LQM21DN470N00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 47мкГн ±30% 7мА 1,2Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 47uH 30% 1MHz Ferrite 0.007A 1.2Ohm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 47мкГн ±30% 7мА 1,2Ом по постоянному току

LQM21DN4R7N00D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 30мА 0,3Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 30% 1MHz Ferrite 0.03A 0.3Ohm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 30мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN100M70L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Ferrite 100mA 780mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

LQM21FN100M70L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Ferrite 100mA 780mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

LQM21FN100M70L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 20% 1MHz Ferrite 100mA 780mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,6Ом по постоянному току

LQM21FN100M80L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN 10uH 100mA 20% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN100M80L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN 10uH 100mA 20% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN100M80L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN 10uH 100mA 20% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 100мА 0,3Ом по постоянному току

LQM21FN100N00K, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 60mA 650mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

LQM21FN100N00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 60mA 650mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

LQM21FN100N00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 10uH 30% 1MHz Ferrite 60mA 650mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±30% 60мА 0,5Ом по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart