Showing 3817–3840 of 6174 results
LQM21NN1R5K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,5мкГн ±10% 50мА 0,5Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 500mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,5мкГн ±10% 50мА 0,5Ом по постоянному току
LQM21NN1R8K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,8мкГн ±10% 50мА 0,57Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 570mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,8мкГн ±10% 50мА 0,57Ом по постоянному току
LQM21NN1R8K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,8мкГн ±10% 50мА 0,57Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 1.8uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 50mA 570mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1,8мкГн ±10% 50мА 0,57Ом по постоянному току
LQM21NN2R2K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 630mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NN2R2K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 630mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NN2R2K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 630mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NN2R7K10L, Катушка постоянной индуктивности 0805 2.7мкГн ±10%
Катушка постоянной индуктивности 0805 2.7мкГн ±10%
LQM21NN2R7K10L, Катушка постоянной индуктивности 0805 2.7мкГн ±10%
Катушка постоянной индуктивности 0805 2.7мкГн ±10%
LQM21NN3R3K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,3мкГн ±10% 30мА 0,8Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 800mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,3мкГн ±10% 30мА 0,8Ом по постоянному току
LQM21NN3R3K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,3мкГн ±10% 30мА 0,8Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 800mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,3мкГн ±10% 30мА 0,8Ом по постоянному току
LQM21NN3R9K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 890mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
LQM21NN3R9K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 890mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
LQM21NN3R9K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 3.9uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 890mOhm D Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,9мкГн ±10% 30мА 0,89Ом по постоянному току
LQM21NN4R7K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 4,7мкГн ±10% 30мА 1Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 1Ohm DCR Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 4,7мкГн ±10% 30мА 1Ом по постоянному току
LQM21NN4R7K10L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 4,7мкГн ±10% 30мА 1Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 1Ohm DCR Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 4,7мкГн ±10% 30мА 1Ом по постоянному току
LQM21NNR10K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 100nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
LQM21NNR10K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 100nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
LQM21NNR10K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 100nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току
LQM21NNR12K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 120нГн ±10% 250мА 0,29Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 120nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 290mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 120нГн ±10% 250мА 0,29Ом по постоянному току
LQM21NNR12K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 120нГн ±10% 250мА 0,29Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 120nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 290mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 120нГн ±10% 250мА 0,29Ом по постоянному току
LQM21NNR15K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQG21N 0,15uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQM21NNR15K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQG21N 0,15uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQM21NNR15K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQG21N 0,15uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току
LQM21NNR22K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 220nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току