Showing 3841–3864 of 6174 results
LQM21NNR22K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 220nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току
LQM21NNR27K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 270nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 420mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
LQM21NNR27K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 270nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 420mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
LQM21NNR27K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 270nH 10% 25MHz 20Q-Factor Ferrite 250mA 420mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 270нГн ±10% 250мА 0,42Ом по постоянному току
LQM21NNR33K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NN 0,33uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NNR33K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NN 0,33uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NNR33K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NN 0,33uH 250mA 10% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 330нГн ±10% 250мА 0,48Ом по постоянному току
LQM21NNR39K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 390нГн ±10% 200мА 0,53Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 390nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 200mA 530mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 390нГн ±10% 200мА 0,53Ом по постоянному току
LQM21NNR39K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 390нГн ±10% 200мА 0,53Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 390nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 200mA 530mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 390нГн ±10% 200мА 0,53Ом по постоянному току
LQM21NNR47K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 470nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 200mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
LQM21NNR47K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 470nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 200mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
LQM21NNR47K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 470nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 200mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току
LQM21NNR56K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 560nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 630mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NNR56K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 560nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 630mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NNR56K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 560nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 630mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 560нГн ±10% 150мА 0,63Ом по постоянному току
LQM21NNR68K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 680nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
LQM21NNR68K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 680nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
LQM21NNR68K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 680nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 0805 Paper T/ Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 680нГн ±10% 150мА 0,72Ом по постоянному току
LQM21NNR82K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 820нГн ±10% 150мА 0,81Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 810mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 820нГн ±10% 150мА 0,81Ом по постоянному току
LQM21NNR82K10D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 820нГн ±10% 150мА 0,81Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 810mOhm Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 820нГн ±10% 150мА 0,81Ом по постоянному току
LQM21PN1R0MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.8A 190mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
LQM21PN1R0MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.8A 190mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
LQM21PN1R0MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.8A 190mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 800мА 0,238Ом по постоянному току
LQM21PN2R2MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 600mA 425mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току