Showing 3865–3888 of 6174 results
LQM21PN2R2MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 600mA 425mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току
LQM21PN2R2MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 600mA 425mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 600мА 0,425Ом по постоянному току
LQM21PN2R2MGHL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,156Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 156mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,156Ом по постоянному току
LQM21PN2R2MGHL, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,156Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 156mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,156Ом по постоянному току
LQM21PN2R2NGCD, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 800mA 288mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по постоянному току
LQM21PN4R7MGRD, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 288mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
LQM21PN4R7MGRD, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 288mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 800мА 0,288Ом по постоянному току
LQM21PN4R7NGRD, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 30% 1MHz Ferrite 800mA 288mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по постоянному току
LQM21PNR47MC0D, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±20% 1100мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 150mOhm DCR 0805 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±20% 1100мА 0,15Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 69mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 69mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 69mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1600мА 0,069Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MJ0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 113mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MJ0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 113mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
LQM2HPN1R0MJ0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 113mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по постоянному току
LQM2HPN1R5MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 88mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
LQM2HPN1R5MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 88mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
LQM2HPN1R5MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 88mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по постоянному току
LQM2HPN2R2MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 100mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
LQM2HPN2R2MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 100mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
LQM2HPN2R2MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.3A 100mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току
LQM2HPN2R2MJ0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1000мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1A 150mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1000мА 0,15Ом по постоянному току
LQM2HPN2R2MJ0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1000мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1A 150mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1000мА 0,15Ом по постоянному току
LQM2HPN4R7MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 138mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 1100мА 0,14Ом по постоянному току