Showing 3889–3912 of 6174 results
LQM2HPN4R7MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 138mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2HPNR47MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 0,47мкГн ±20% 1800мА 0,05Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Ferrite 1.8A 50mOhm DCR 1008 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 0,47мкГн ±20% 1800мА 0,05Ом по постоянному току
LQM2MPN1R0NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±30% 1400мА 0,107Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 30% 1MHz Ferrite 1.4A 107mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±30% 1400мА 0,107Ом по постоянному току
LQM2MPN2R2NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 1200мА 0,138Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 138mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 1200мА 0,138Ом по постоянному току
LQM2MPN2R2NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 1200мА 0,138Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 30% 1MHz Ferrite 1.2A 138mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 1200мА 0,138Ом по постоянному току
LQM2MPN4R7NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2HP 4,7uH 1100mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2MPN4R7NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2HP 4,7uH 1100mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2MPN4R7NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2HP 4,7uH 1100mA 30% MLT Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 1100мА 0,14Ом по постоянному току
LQM2MPNR47MG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±20% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Ferrite 1.6A 75mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±20% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
LQM2MPNR47NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±30% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 75mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±30% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
LQM2MPNR47NG0L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±30% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 30% 1MHz Ferrite 1.6A 75mOhm DCR 0806 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 470нГн ±30% 1600мА 0,075Ом по постоянному току
LQM31PN1R0M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 150mOhm DCR 1206 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
LQM31PN1R0M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 150mOhm DCR 1206 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
LQM31PN1R0M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 150mOhm DCR 1206 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току
LQM31PN2R2M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 900мА 0,238Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 900mA 238mOhm DCR 1206 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 900мА 0,238Ом по постоянному току
LQM31PN2R2M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 900мА 0,238Ом по постоянному току
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 900mA 238mOhm DCR 1206 T/R Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 900мА 0,238Ом по постоянному току
LQM31PN4R7M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM Series 1206 4.7 uH В±20 % Tol. 700 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM31PN4R7M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM Series 1206 4.7 uH В±20 % Tol. 700 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM31PN4R7M00L, Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM Series 1206 4.7 uH В±20 % Tol. 700 mA SMT High Frequency Multilayer Inductor Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 700мА 0,3Ом по постоянному току
LQM31PNR47M00L, Катушка постоянной индуктивности 470нГн ±20% 1МГц 1.4A
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Ferrite 1.4A 87.5mOhm DCR 1206 T/R Катушка постоянной индуктивности 470нГн ±20% 1МГц 1.4A
LQM31PNR47M00L, Катушка постоянной индуктивности 470нГн ±20% 1МГц 1.4A
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 470nH 20% 1MHz Ferrite 1.4A 87.5mOhm DCR 1206 T/R Катушка постоянной индуктивности 470нГн ±20% 1МГц 1.4A
LQP03HQ3N3B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,1нГн 500мА 170мОм по постоянному току
LQP Series 3.3 nH В±0.1 nH Tolerance 500 mA 0.17 Ohm DCR Chip Coil Inductor Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,1нГн 500мА 170мОм по постоянному току
LQP03TG0N5B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,5нГн ±0,1нГн 850мА 80мОм по постоянному току
LQP Series 0201 0.5 nH В±0.1 nH 850mA 80mOhm Non Shielded Chip Coil Inductor Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,5нГн ±0,1нГн 850мА 80мОм по постоянному току
LQP03TG15NH02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±3% 170мА 1,9Ом по постоянному току
Inductor General Purpose Chip Unshielded Thin Film 15nH 3% 500MHz 11Q-Factor Ceramic 170mA 1.9Ohm DC Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±3% 170мА 1,9Ом по постоянному току