Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 3913–3936 of 6174 results

Сортировать

LQP03TN0N6B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,6нГн ±0,1нГн 850мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 0.0006uH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 0.85A 0.07Ohm DCR Тонкоплёночная SMD индуктивность 0,6нГн ±0,1нГн 850мА 70мОм по постоянному току

LQP03TN10NH02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 10nH 3% 500MHz 14Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN10NHZ2D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 10nH 3% 500MHz 14Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 Autom Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN10NJ02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 10nH 5% 500MHz 14Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN12NH02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 12нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 12nH 3% 500MHz 12Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 12нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN15NH02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 15nH 3% 500MHz 12Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±3% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN15NJ02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 15nH 5% 500MHz 12Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 15нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

LQP03TN18NH02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 18нГн ±3% 200мА 800мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 18nH 3% 500MHz 12Q-Factor Ceramic 200mA 800mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 18нГн ±3% 200мА 800мОм по постоянному току

LQP03TN1N0B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 1нГн ±0,1нГн 750мА 100мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 1nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 750mA 100mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 1нГн ±0,1нГн 750мА 100мОм по постоянному току

LQP03TN1N2B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,2нГн ±0,1нГн 750мА 100мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 1.2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 750mA 100mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,2нГн ±0,1нГн 750мА 100мОм по постоянному току

LQP03TN1N5B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 1.5nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 600mA 150mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

LQP03TN1N8B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 1.8nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 600mA 150mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

LQP03TN27NJ02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 27нГн ±5% 140мА 2,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 27nH 5% 500MHz 12Q-Factor Ceramic 140mA 2.3Ohm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 27нГн ±5% 140мА 2,3Ом по постоянному току

LQP03TN2N0B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 600mA 150mOhm DCR 0201 T/R Тонкоплёночная SMD индуктивность 2нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

LQP03TN2N2B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.2nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 600mA 150mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 600мА 150мОм по постоянному току

LQP03TN2N4B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.4nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 500mA 200mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

LQP03TN2N7B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.7nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 500mA 200mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

LQP03TN2N7B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.7nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 500mA 200mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

LQP03TN2N7C02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,2нГн 500мА 200мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.7nH 0.2nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 500mA 200mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,2нГн 500мА 200мОм по постоянному току

LQP03TN2N9B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,9нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 2.9nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 500mA 200mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,9нГн ±0,1нГн 500мА 200мОм по постоянному току

LQP03TN3N1B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,1нГн 450мА 250мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 3.1nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 450mA 250mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,1нГн 450мА 250мОм по постоянному току

LQP03TN3N6B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 3.6nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 400mA 300mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току

LQP03TN3N9B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 3.9nH 0.1nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 400mA 300mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 400мА 300мОм по постоянному току

LQP03TN3N9C02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 400мА 300мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 3.9nH 0.2nH 500MHz 14Q-Factor Ceramic 400mA 300mOhm DCR 0201 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 400мА 300мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart