Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 3985–4008 of 6174 results

Сортировать

LQP15MN3N9B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 170мА 500мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 3.9nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 170mA 500mOhm DCR 0402 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 170мА 500мОм по постоянному току

LQP15MN4N3B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,1нГн 160мА 600мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 4.3nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 160mA 600mOhm DCR 0402 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,1нГн 160мА 600мОм по постоянному току

LQP15MN4N7B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 160мА 600мОм по постоянному току

0402 4.7nH ± 0.1nH - P/N included in Murata Design Kit : EKLMQP15B Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 160мА 600мОм по постоянному току

LQP15MN5N1B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 5.1nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 140mA 700mOhm DCR 0402 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

LQP15MN5N6B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

Chip Coil Inductor 0402 5.6nH ± 0.1nH Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

LQP15MN5N6B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

Chip Coil Inductor 0402 5.6nH ± 0.1nH Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

LQP15MN5N6B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

Chip Coil Inductor 0402 5.6nH ± 0.1nH Тонкоплёночная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

LQP15MN6N2B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 6.2nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 130mA 900mOhm DCR 0402 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

LQP15MN6N8B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 6.8nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 130mA 900mOhm DCR 0402 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

LQP15MN7N5B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

LQP Series 0402 7.5 nH В±0.1 nH Tol. 110 mA SMT High Frequency Chip Inductor Тонкоплёночная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

LQP15MN8N2B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 8.2nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 110mA 1.1Ohm DCR 0402 T/ Тонкоплёночная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

LQP15MN8N2B02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 8.2nH 0.1nH 500MHz 13Q-Factor Ceramic 110mA 1.1Ohm DCR 0402 T/ Тонкоплёночная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току

LQP18MN4N7C02D, Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±0.2нГн 200мА 500мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Thin Film 4.7nH 0.2nH 500MHz 17Q-Factor Ceramic 200mA 500mOhm DCR 0603 T Тонкоплёночная SMD индуктивность 4,7нГн ±0.2нГн 200мА 500мОм по постоянному току

LQW15AN10NG00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NG00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NG0ZD, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15A 0,010ВµH 500mA 2% WWT Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NG80D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 1.4A 81мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 31Q-Factor Ceramic 1.4A 81mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 1.4A 81мОм по постоянному току

LQW15AN10NH00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±3% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±3% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току

LQW15AN10NJ80D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,4A 81мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 31Q-Factor Ceramic 1.4A 81mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,4A 81мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart