Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 370mA 270mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 370мА 270мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 19nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 370mA 270mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 19нГн ±5% 370мА 270мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1.3nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 3.15A 12mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 1,3нГн ±0,2нГн 3,15A 12мОм по постоянному току

LQW15 Series 0402 1.5 nH В±0.1 nH 1 A 0.03 Ohm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,1нГн 1A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1.5nH 0.2nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 1A 30mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,2нГн 1A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1.8nH 0.2nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 460mA 160mOhm DCR 0402 T Проволочная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,2нГн 460мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 20nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 370mA 270mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 20нГн ±5% 370мА 270мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 310mA 300mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 310мА 300мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 310mA 300mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±3% 310мА 300мОм по постоянному току

LQW15A 0,022µH 310mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 310мА 300мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 24nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 280mA 520mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±2% 280мА 520мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 24nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 280mA 520mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±5% 280мА 520мОм по постоянному току