Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 2% 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 280mA 520mOhm DCR 0402 Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 280мА 520мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 280mA 520mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 280мА 520мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.2nH 0.1nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 2.53A 22mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 2,53A 22мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.2nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 1A 27mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,2нГн 1A 27мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.4nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,4нГн ±0,1нГн 850мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.5nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,5нГн ±0,1нГн 850мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.5nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 2.5нГн 0.2нГн 100МГц 20Q-Фактор керамика 850мА 50мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.7nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,1нГн 850мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.7nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,2нГн 850мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.7nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 850mA 50mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,5нГн 850мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 2.9nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 2,9нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 260mA 630mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 260мА 630мОм по постоянному току