Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 260mA 630mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±3% 260мА 630мОм по постоянному току

LQW15 Series 0402 33 nH В±5 % 260 mA 0.63 Ohm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 260мА 630мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 36nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 260mA 630mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 260мА 630мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 36nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 260mA 630mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 260мА 630мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3nH 0.1nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 1.35A 63mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 3нГн ±0,1нГн 1,35A 63мОм по постоянному току

LQW Series 0402 3.3 nH В±0.1 nH 2 A Wirewound Unshielded RF Inductor Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,1нГн 2A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.3nH 0.5nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 900mA 40mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 900мА 40мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.3nH 0.5nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 900mA 40mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 900мА 40мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 900mA 40mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 900мА 40мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току