Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4105–4128 of 6174 results

Сортировать

LQW15AN3N9C00D, Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN40NG00D, Проволочная SMD индуктивность 40нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 40nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 40нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

LQW15AN43NG00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

LQW15AN43NG00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току

LQW15AN43NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 250mA 700mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 250мА 700мОм по постоянному току

LQW15AN47NG80D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 440мА 648мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 440mA 648mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 440мА 648мОм по постоянному току

LQW15AN47NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 210мА 1,08Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 210mA 1.08Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 210мА 1,08Ом по постоянному току

LQW15AN4N1B00D, Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.1nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N1C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.1nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N1C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.1nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N3B00D, Проволочная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.3nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N3C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.3nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,3нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7B00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 750mA 70mOhm DCR 04 Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7B00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 750mA 70mOhm DCR 04 Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7B00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 750mA 70mOhm DCR 04 Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,1нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN4N7C00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 750mA 70mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току

LQW15AN51NG00D, Проволочная SMD индуктивность 51нГн ±2% 210мА 1,08Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 51nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 210mA 1.08Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 51нГн ±2% 210мА 1,08Ом по постоянному току

LQW15AN56NG00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 200мА 1,17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 200mA 1.17Ohm DCR 0402 Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 200мА 1,17Ом по постоянному току

LQW15AN56NG00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 200мА 1,17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 200mA 1.17Ohm DCR 0402 Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 200мА 1,17Ом по постоянному току

LQW15AN56NG80D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 340мА 996мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 340mA 996mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 340мА 996мОм по постоянному току

LQW15AN56NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 200мА 1,17Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 200mA 1.17Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 200мА 1,17Ом по постоянному току

LQW15AN5N1C00D, Проволочная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,2нГн 600мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.1nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 0402 T Проволочная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,2нГн 600мА 120мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart