Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4129–4152 of 6174 results

Сортировать

LQW15AN5N1D00D, Проволочная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,5нГн 600мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.1nH 0.5nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 0402 T Проволочная SMD индуктивность 5,1нГн ±0,5нГн 600мА 120мОм по постоянному току

LQW15AN5N6B80D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 1,77A 40мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.1nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 1.77A 40mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,1нГн 1,77A 40мОм по постоянному току

LQW15AN5N6C10D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

LQW15AN5N6C10D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

LQW15AN5N6C10D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току

LQW15AN5N6D10D, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 800мА 51мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.5nH 100MHz 30Q-Factor Ceramic 800mA 51mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 800мА 51мОм по постоянному току

LQW15AN5N8B00D, Проволочная SMD индуктивность 5,8нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.8nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 5,8нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN62NG00D, Проволочная SMD индуктивность 62нГн ±2% 145мА 1,82Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 62nH 2% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 145mA 1.82Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 62нГн ±2% 145мА 1,82Ом по постоянному току

LQW15AN6N2B00D, Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.1nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N2B80D, Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 1,6A 56мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.1nH 100MHz 33Q-Factor Ceramic 1.6A 56mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 1,6A 56мОм по постоянному току

LQW15AN6N2C00D, Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,2нГн 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,2нГн 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N2C00D, Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,2нГн 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,2нГн 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,5нГн 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.5nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,5нГн 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8G00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8G00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8G00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±2% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8H00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±3% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±3% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8J00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±5% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±5% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN6N8J00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±5% 700мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 700mA 90mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±5% 700мА 90мОм по постоянному току

LQW15AN72NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 72нГн ±5% 135мА 2,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 72nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 135mA 2.1Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 72нГн ±5% 135мА 2,1Ом по постоянному току

LQW15AN7N5G00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

LQW15AN7N5G00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

LQW15AN7N5G00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±2% 570мА 130мОм по постоянному току

LQW15AN7N5H00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±3% 570мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±3% 570мА 130мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart