Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 570mA 130mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±5% 570мА 130мОм по постоянному току

Катушка постоянной индуктивности 82нГн ±2%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 130mA 2.24Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 130мА 2,24Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±2% 540мА 140мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±2% 540мА 140мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±5% 540мА 140мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±5% 540мА 140мОм по постоянному току

LQW15 Series 0402 9 nH В±5 % 1.42 A 70 mOhm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 9,0нГн ±5% 1,42A 70мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.1nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.1нГн ±3% 100МГц 25Q-Фактор керамика 0.54A 140мОм 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.1nH 3% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 540mA 140mOhm DCR 0402 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.1нГн ±3% 100МГц 25Q-Фактор керамика 0.54A 140мОм 0402 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 120mA 2.52Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 120мА 2,52Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 120mA 2.52Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 120мА 2,52Ом по постоянному току