Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4177–4200 of 6174 results

Сортировать

LQW15ANR12J00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 110мА 2,66Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 110mA 2.66Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 110мА 2,66Ом по постоянному току

LQW15ANR12J00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 110мА 2,66Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 20Q-Factor Ceramic 110mA 2.66Ohm DCR 0402 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 110мА 2,66Ом по постоянному току

LQW15CAR18J00D, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 640мА 210мОм по постоянному току

FIXED IND 180NH 640MA 210 MOHM Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 640мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN10NG00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN10NG00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN10NG00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN10NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN11NG00D, Проволочная SMD индуктивность 11нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 11nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 11нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN12NG00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN12NG00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN12NG00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN12NG10D, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 12нГн ±2% 100МГц 38Q-Фактор керамика 750мА 71мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 750mA 71mOhm DCR 0603 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 12нГн ±2% 100МГц 38Q-Фактор керамика 750мА 71мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

LQW18AN12NG10D, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 12нГн ±2% 100МГц 38Q-Фактор керамика 750мА 71мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 750mA 71mOhm DCR 0603 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 12нГн ±2% 100МГц 38Q-Фактор керамика 750мА 71мОм по постоянному току 0603 лента на катушке

LQW18AN12NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN12NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN12NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN13NG00D, Проволочная SMD индуктивность 13нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 13nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 13нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN15NG00D, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN15NG00D, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN15NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN15NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 600mA 130mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току

LQW18AN15NJ10D, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 700мА 85мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 42Q-Factor Ceramic 700mA 85mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 700мА 85мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart