Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4201–4224 of 6174 results

Сортировать

LQW18AN16NG00D, Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 16nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN16NG00D, Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 16nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN16NG00D, Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 16nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 16нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN18NG00D, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN18NG00D, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN18NG00D, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN18NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN18NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN20NG00D, Проволочная SMD индуктивность 20нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 20nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 20нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN20NG00D, Проволочная SMD индуктивность 20нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 20nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 550mA 160mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 20нГн ±2% 550мА 160мОм по постоянному току

LQW18AN22NG00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NG00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NG00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 170mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN22NJ0ZD, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN 22nH 500mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 170мОм по постоянному току

LQW18AN24NG00D, Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±2% 500мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 24nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 210mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±2% 500мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN24NG00D, Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±2% 500мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 24nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 500mA 210mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 24нГн ±2% 500мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NG00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 2% 100MHz 40Q-Factor Non Magnetic 440mA 210mOhm DCR 0603 Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NG00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 2% 100MHz 40Q-Factor Non Magnetic 440mA 210mOhm DCR 0603 Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NG00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 2% 100MHz 40Q-Factor Non Magnetic 440mA 210mOhm DCR 0603 Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NG0ZD, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 440mA 210mOhm DCR 0603 Autom Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±2% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 440mA 210mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart