Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4225–4248 of 6174 results

Сортировать

LQW18AN27NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 440mA 210mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN27NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 440mA 210mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 440мА 210мОм по постоянному току

LQW18AN2N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18 Series 0603 2.2 nH В±0.5 nH 700mA 49 mOhm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18AN2N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18 Series 0603 2.2 nH В±0.5 nH 700mA 49 mOhm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18AN2N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18 Series 0603 2.2 nH В±0.5 nH 700mA 49 mOhm SMT Unshielded Wirewound Inductor Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току

LQW18AN2N2D10D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0022мкГн±0.5нГн 100МГц 25Q-Фактор Non Magnetic 1.4A 0.018Ом

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.0022uH 0.5nH 100MHz 25Q-Factor Non Magnetic 1.4A 0.018Ohm DCR ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0022мкГн±0.5нГн 100МГц 25Q-Фактор Non Magnetic 1.4A 0.018Ом

LQW18AN30NG00D, Проволочная SMD индуктивность 30нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 30nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 30нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NG00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NG00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NG00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NG0ZD, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 Autom Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN33NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 420mA 230mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току

LQW18AN36NG00D, Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 36nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN36NG00D, Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 36nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 36нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NG00D, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NG00D, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NG00D, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NG0ZD, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN 39nH 400mA 2% WWT Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN39NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 400мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 400mA 260mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 400мА 260мОм по постоянному току

LQW18AN3N6C00D, Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.6nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN3N6C00D, Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.6nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart