Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4249–4272 of 6174 results

Сортировать

LQW18AN3N6C00D, Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.6nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN3N9C00D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

LQW18AN3N9C00D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

LQW18AN3N9C00D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/ ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор Non Magnetic 0.85A 0.059Ом

LQW18AN3N9D00D, Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN3N9D00D, Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.9nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN43NG00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN43NG00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN43NG00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN43NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN43NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 43nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 43нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NG00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NG00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NG00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NG0ZD, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18A 47nH 380mA 2% WWT Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NJ00, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 47нГн ±5% 100МГц 38Q-Фактор керамика 380мА 290мОм 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 47нГн ±5% 100МГц 38Q-Фактор керамика 380мА 290мОм 0603 лента на катушке

LQW18AN47NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN47NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 380mA 290mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 380мА 290мОм по постоянному току

LQW18AN4N7D00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN4N7D00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току

LQW18AN56NG00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

LQW18AN56NG00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

LQW18AN56NG00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току

LQW18AN56NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 360мА 350мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 360мА 350мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart