Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 360mA 350mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 360мА 350мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.5nH 100MHz 38Q-Factor Ceramic 900mA 45mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 900мА 45мОм по постоянному току

LQW18A 5,6nH 900mA +-0,5nH WWT Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 900мА 45мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 62nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 280mA 510mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 62нГн ±2% 280мА 510мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 2% 100MHz 38Q-Factor Ceramic 340mA 380mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 340мА 380мОм по постоянному току

LQW18A 68nH 340mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 340мА 380мОм по постоянному току

LQW18A 68nH 340mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 340мА 380мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току