Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4297–4320 of 6174 results

Сортировать

LQW18AN6N8C0ZD, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN 6,8nH 750mA +-0,2nH WWT Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN6N8D00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN6N8D00D, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN7N5C00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 0.2nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN7N5D00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN7N5D00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN7N5D00D, Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 7.5nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 750mA 82mOhm DCR 0603 T/ Проволочная SMD индуктивность 7,5нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току

LQW18AN82NG00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 250mA 600mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN82NG00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 250mA 600mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN82NG00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 250mA 600mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN82NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN 82nH 250mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN82NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN 82nH 250mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN82NJ00D, Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN 82nH 250mA 5% WWT Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±5% 250мА 600мОм по постоянному току

LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN8N2D10D, Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 38Q-Factor Ceramic 800mA 58mOhm DCR 0603 T/R Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

LQW18AN8N2D10D, Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 38Q-Factor Ceramic 800mA 58mOhm DCR 0603 T/R Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

LQW18AN8N2D10D, Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 38Q-Factor Ceramic 800mA 58mOhm DCR 0603 T/R Катушка постоянной индуктивности 8.2 нГн

LQW18AN8N7D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,7нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.7nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 8,7нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN91NG00D, Проволочная SMD индуктивность 91нГн ±2% 230мА 640мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 91nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 230mA 640mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 91нГн ±2% 230мА 640мОм по постоянному току

LQW18AN91NG00D, Проволочная SMD индуктивность 91нГн ±2% 230мА 640мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 91nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 230mA 640mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 91нГн ±2% 230мА 640мОм по постоянному току

LQW18AN9N1D00D, Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.1nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN9N1D00D, Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.1nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart