Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4321–4344 of 6174 results

Сортировать

LQW18AN9N1D00D, Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.1nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T Проволочная SMD индуктивность 9,1нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

LQW18AN9N5D00D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.5нГн ±0.5нГн 100МГц 35Q-Фактор керамика 0.65A 110мОм 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.5nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.5нГн ±0.5нГн 100МГц 35Q-Фактор керамика 0.65A 110мОм 0603 лента на катушке

LQW18AN9N5D00D, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.5нГн ±0.5нГн 100МГц 35Q-Фактор керамика 0.65A 110мОм 0603 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 9.5nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 9.5нГн ±0.5нГн 100МГц 35Q-Фактор керамика 0.65A 110мОм 0603 лента на катушке

LQW18ANR10G00D, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR10G00D, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR10G00D, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR10G0ZD, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR10J00D, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 220мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR10J00D, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 220мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 34Q-Factor Ceramic 220mA 680mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 220мА 680мОм по постоянному току

LQW18ANR12G00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±2% 180мА 1,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±2% 180мА 1,3Ом по постоянному току

LQW18ANR12G00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±2% 180мА 1,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±2% 180мА 1,3Ом по постоянному току

LQW18ANR12J00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

LQW18ANR12J00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

LQW18ANR12J00D, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 180mA 1.3Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 180мА 1,3Ом по постоянному току

LQW18ANR15G00D, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR15G00D, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR15G00D, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR15J00D, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR15J00D, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR15J0ZD, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 160mA 1.5Ohm DCR 0603 Autom Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 160мА 1,5Ом по постоянному току

LQW18ANR16G00D, Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 160nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 150mA 2.1Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

LQW18ANR16G00D, Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 160nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 150mA 2.1Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

LQW18ANR16G00D, Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 160nH 2% 100MHz 32Q-Factor Ceramic 150mA 2.1Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 160нГн ±2% 150мА 2,1Ом по постоянному току

LQW18ANR18G00D, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 140мА 2,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 140mA 2.2Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 140мА 2,2Ом по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart