Дроссели SMD-исполнения(6174)

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 140mA 2.2Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 140мА 2,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 140mA 2.2Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 140мА 2,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 200nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 120mA 2.4Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 200нГн ±2% 120мА 2,4Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 120mA 2.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 120мА 2,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 120mA 2.5Ohm DCR 0603 Autom Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 120мА 2,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 120mA 2.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 120мА 2,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 110mA 3.4Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±2% 110мА 3,4Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 110mA 3.4Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±2% 110мА 3,4Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 270nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 110mA 3.4Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 270нГн ±5% 110мА 3,4Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 330nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 85mA 5.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±2% 85мА 5,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 330nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 85mA 5.5Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±2% 85мА 5,5Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 390nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 80mA 6.2Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±2% 80мА 6,2Ом по постоянному току