Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4369–4392 of 6174 results

Сортировать

LQW18ANR39J00D, Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 80мА 6,2Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 390nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 80mA 6.2Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 390нГн ±5% 80мА 6,2Ом по постоянному току

LQW18ANR47G00D, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 75mA 7Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

LQW18ANR47G00D, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 75mA 7Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

LQW18ANR47G00D, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 75mA 7Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току

LQW18ANR47J00D, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 75мА 7Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 75mA 7Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 75мА 7Ом по постоянному току

LQW18ANR47J00D, Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 75мА 7Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 75mA 7Ohm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±5% 75мА 7Ом по постоянному току

LQW18CNR33J00D, Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 630мА 250мОм по постоянному току

Inductor Power Chip Unshielded Wirewound 330nH 5% 10MHz Ferrite 630mA 250mOhm DCR 0603 T/R Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 630мА 250мОм по постоянному току

LQW21HN1R0J00L, Проволочная SMD индуктивность 1мкГн ±5% 115мА 2,86Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Wirewound 1uH 5% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 115mA 2.86Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 1мкГн ±5% 115мА 2,86Ом по постоянному току

LQW21HN1R0J00L, Проволочная SMD индуктивность 1мкГн ±5% 115мА 2,86Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Wirewound 1uH 5% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 115mA 2.86Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 1мкГн ±5% 115мА 2,86Ом по постоянному току

LQW21HNR56J00L, Катушка постоянной индуктивности 0805 0.56мкГн ±5%

Inductor RF Chip Wirewound 560nH 5% 10MHz 35Q-Factor Ferrite 150mA 1.43Ohm DCR 0805 T/R Катушка постоянной индуктивности 0805 0.56мкГн ±5%

LQW2BAS15NJ00L, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.015мкГн ±5% 250МГц 50Q-Фактор Non Magnetic 0.6A 0.17Ом

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.015uH 5% 250MHz 50Q-Factor Non Magnetic 0.6A 0.17Ohm DCR ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.015мкГн ±5% 250МГц 50Q-Фактор Non Magnetic 0.6A 0.17Ом

LQW2BAS22NJ00L, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 220мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 250MHz 55Q-Factor Ceramic 500mA 220mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 500мА 220мОм по постоянному току

LQW2BAS39NJ00L, Чип инд.0805 39nH/500mA 10%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 290mOhm DCR 0805 T/R Чип инд.0805 39nH/500mA 10%

LQW2BAS39NJ00L, Чип инд.0805 39nH/500mA 10%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 250MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 290mOhm DCR 0805 T/R Чип инд.0805 39nH/500mA 10%

LQW2BAS47NJ00L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 500мА 310мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 200MHz 60Q-Factor Ceramic 500mA 310mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 500мА 310мОм по постоянному току

LQW2BAS6N8J00L, Чип инд.0805 6.8nH/600mA 10%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 5% 250MHz 50Q-Factor Ceramic 600mA 110mOhm DCR 0805 T/R Чип инд.0805 6.8nH/600mA 10%

LQW2BASR10J00L, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.1мкГн ±5% 150МГц 65Q-Фактор Non Magnetic 0.4A 0.46Ом 0805

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.1uH 5% 150MHz 65Q-Factor Non Magnetic 0.4A 0.46Ohm DCR 0805 ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.1мкГн ±5% 150МГц 65Q-Фактор Non Magnetic 0.4A 0.46Ом 0805

LQW2BASR10J00L, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.1мкГн ±5% 150МГц 65Q-Фактор Non Magnetic 0.4A 0.46Ом 0805

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 0.1uH 5% 150MHz 65Q-Factor Non Magnetic 0.4A 0.46Ohm DCR 0805 ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.1мкГн ±5% 150МГц 65Q-Фактор Non Magnetic 0.4A 0.46Ом 0805

LQW2BASR22J00L, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 220нГн ±5% 50МГц 50Q-Фактор керамика 400мА 700мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 50MHz 50Q-Factor Ceramic 400mA 700mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 220нГн ±5% 50МГц 50Q-Фактор керамика 400мА 700мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

LQW2BASR22J00L, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 220нГн ±5% 50МГц 50Q-Фактор керамика 400мА 700мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 50MHz 50Q-Factor Ceramic 400mA 700mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 220нГн ±5% 50МГц 50Q-Фактор керамика 400мА 700мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

LQW2BASR47J00L, Катушка постоянной индуктивности 0805, 470нГн , 250мА SRF 300МГц, ±5%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 5% 50MHz 33Q-Factor Ceramic 250mA 1.76Ohm DCR 0805 T/R Катушка постоянной индуктивности 0805, 470нГн , 250мА SRF 300МГц, ±5%

LQW2BASR47J00L, Катушка постоянной индуктивности 0805, 470нГн , 250мА SRF 300МГц, ±5%

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 470nH 5% 50MHz 33Q-Factor Ceramic 250mA 1.76Ohm DCR 0805 T/R Катушка постоянной индуктивности 0805, 470нГн , 250мА SRF 300МГц, ±5%

LQW2BASR82J00L, Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

LQW2BASR82J00L, Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart