Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4393–4416 of 6174 results

Сортировать

LQW2BASR82J00L, Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

LQW2BHN10NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 30Q-Factor Non Magnetic 1.32A 30mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

LQW2BHN10NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 30Q-Factor Non Magnetic 1.32A 30mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

LQW2BHN10NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 10nH 5% 100MHz 30Q-Factor Non Magnetic 1.32A 30mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1,32A 30мОм по постоянному току

LQW2BHN12NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току

LQW2BHN12NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току

LQW2BHN12NK13L, ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 12нГн ±10% 100МГц 30Q-Фактор керамика 680мА 110мОм 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 10% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T/R ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 12нГн ±10% 100МГц 30Q-Фактор керамика 680мА 110мОм 0805 лента на катушке

LQW2BHN15NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 630мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 630мА 120мОм по постоянному току

LQW2BHN15NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 630мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 15nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 630мА 120мОм по постоянному току

LQW2BHN18NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 690mA 100mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

LQW2BHN18NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 690mA 100mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

LQW2BHN18NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 18nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 690mA 100mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 690мА 100мОм по постоянному току

LQW2BHN21NK13L, Проволочная SMD индуктивность 21нГн ±5% 950мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 21nH 10% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 950mA 50mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 21нГн ±5% 950мА 50мОм по постоянному току

LQW2BHN21NK13L, Проволочная SMD индуктивность 21нГн ±5% 950мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 21nH 10% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 950mA 50mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 21нГн ±5% 950мА 50мОм по постоянному току

LQW2BHN22NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 720mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

LQW2BHN22NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 720mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

LQW2BHN22NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 22nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 720mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току

LQW2BHN27NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 540мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 540mA 170mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 540мА 170мОм по постоянному току

LQW2BHN27NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 540мА 170мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 27nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 540mA 170mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 27нГн ±5% 540мА 170мОм по постоянному току

LQW2BHN33NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 570mA 150mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

LQW2BHN33NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 570mA 150mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

LQW2BHN33NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 33nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 570mA 150mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 570мА 150мОм по постоянному току

LQW2BHN39NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 730mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

LQW2BHN39NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 730mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart