Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4417–4440 of 6174 results

Сортировать

LQW2BHN39NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 39nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 730mA 90mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±5% 730мА 90мОм по постоянному току

LQW2BHN3N1D13L, Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3,1nH 0,5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 1800mA 20mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току

LQW2BHN3N1D13L, Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3,1nH 0,5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 1800mA 20mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току

LQW2BHN3N3D03L, Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.3nH 0.5nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 910mA 50mOhm DCR 0805 T/ Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току

LQW2BHN47NG03L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 450мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 450mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 450мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN47NG03L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 450мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 450mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 450мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN47NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 450mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN47NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 450mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN47NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 47nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 450mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±5% 450мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN56NG03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

LQW2BHN56NG03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

LQW2BHN56NG03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 430мА 260мОм по постоянному току

LQW2BHN56NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току

LQW2BHN56NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току

LQW2BHN5N6D13L, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 1,5A 20мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 1.5A 20mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 1,5A 20мОм по постоянному току

LQW2BHN5N6D13L, Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 1,5A 20мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 5.6nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 1.5A 20mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,5нГн 1,5A 20мОм по постоянному току

LQW2BHN68NG03L, Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 460мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 460mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 460мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN68NG03L, Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 460мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 2% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 460mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 460мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN68NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 460mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN68NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 460mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN68NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 68nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 460mA 230mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±5% 460мА 230мОм по постоянному току

LQW2BHN6N8D03L, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току

LQW2BHN6N8D03L, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току

LQW2BHN82NJ03L, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 82нГн ±5% 100МГц 40Q-Фактор керамика 320мА 420мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 320mA 420mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 82нГн ±5% 100МГц 40Q-Фактор керамика 320мА 420мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart