Контакты +7 903 509 63 53

Search

Showing 4441–4464 of 6174 results

Сортировать

LQW2BHN82NJ03L, Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 82нГн ±5% 100МГц 40Q-Фактор керамика 320мА 420мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 82nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 320mA 420mOhm DCR 0805 T/R Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 82нГн ±5% 100МГц 40Q-Фактор керамика 320мА 420мОм по постоянному току 0805 лента на катушке

LQW2BHN8N2D03L, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

LQW2BHN8N2D03L, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току

LQW2BHNR10G03L, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 270мА 550мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 270mA 550mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 270мА 550мОм по постоянному току

LQW2BHNR10G03L, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 270мА 550мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 270mA 550mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 270мА 550мОм по постоянному току

LQW2BHNR10J03L, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 350mA 380mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

LQW2BHNR10J03L, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 350mA 380mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

LQW2BHNR10J03L, Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 100nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 350mA 380mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 350мА 380мОм по постоянному току

LQW2BHNR12J03L, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 320mA 400mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

LQW2BHNR12J03L, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 320mA 400mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

LQW2BHNR12J03L, Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 120nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 320mA 400mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±5% 320мА 400мОм по постоянному току

LQW2BHNR15G03L, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 260мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 260mA 680mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 260мА 680мОм по постоянному току

LQW2BHNR15G03L, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 260мА 680мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 2% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 260mA 680mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±2% 260мА 680мОм по постоянному току

LQW2BHNR15J03L, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 390mA 470mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

LQW2BHNR15J03L, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 390mA 470mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

LQW2BHNR15J03L, Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 150nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 390mA 470mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 150нГн ±5% 390мА 470мОм по постоянному току

LQW2BHNR18G03L, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 250мА 710мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 250mA 710mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 250мА 710мОм по постоянному току

LQW2BHNR18J03L, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 250mA 710mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

LQW2BHNR18J03L, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 250mA 710mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

LQW2BHNR18J03L, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 250mA 710mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±5% 250мА 710мОм по постоянному току

LQW2BHNR22G03L, Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 240мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 240mA 700mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 240мА 700мОм по постоянному току

LQW2BHNR22G03L, Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 240мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 240mA 700mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 240мА 700мОм по постоянному току

LQW2BHNR22J03L, Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 240mA 700mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

LQW2BHNR22J03L, Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 220nH 5% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 240mA 700mOhm DCR 0805 T/R Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 240мА 700мОм по постоянному току

 

 

Back to Top
Product has been added to your cart